GRTE18S-N236Z è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per GRTE18S-N236Z, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per GRTE18S-N236Z via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista GRTE18S-N236Z con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
GRTE18S-N236Z
- Modello di prodotti:
- GRTE18S-N236Z
- fabbricante:
- SICK
- Descrizione:
- SEN PHT NPN LO M12 MTL STR
- Quantità di magazzino:
- 56211 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- GRTE18S-N236Z.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione di alimentazione -: | 10 V ~ 30 V |
| Serie: | GR18S |
| Metodo di rilevazione: | Proximity |
| Distanza di rilevamento: | 0.197" ~ 39.370" (5mm ~ 1m) |
| Tempo di risposta: | 1ms |
| Configurazione di uscita: | NPN |
| Altri nomi: | 1069555 |
| temperatura di esercizio: | -25°C ~ 55°C (TA) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 3 Weeks |
| Fonte di luce: | Red (650nm) |
| Protezione ingresso: | IP67 |
| Metodo di connessione: | Connector, M12 |
| Lunghezza del cavo: | - |
| Tipo di regolazione: | Adjustable, Potentiometer |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per GRTE18S-N236Z
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
GRTE18S-P134Z | SICK | SEN PHT PNP LO CBL MTL STR | Inchiesta |
|
GRTE18S-N2362 | SICK | SEN PHT NPN LO M12 MTL STR | Inchiesta |
 |
GRTE18S-P2312 | SICK | SEN PHT PNP 100M LO M12 MTL | Inchiesta |
|
GRTE18S-N231Z | SICK | SEN PHT NPN LO M12 MTL STR FF | Inchiesta |
|
GRTE18S-P2317 | SICK | SEN PHT PNP LO M12 PLSTC STR | Inchiesta |
 |
GRTE18S-N2342 | SICK | SEN PHT NPN LO M12 MTL | Inchiesta |
|
GRTE18S-N2312 | SICK | SEN PHT NPN LO M12 MTL STR | Inchiesta |
|
GRTE18S-N2367 | SICK | SEN PHT NPN LO M12 PLS STR | Inchiesta |
|
GRTE18S-N1367 | SICK | SEN PHT NPN LO CBL PLS STR | Inchiesta |
|
GRTE18S-N1362 | SICK | SEN PHT NPN LO CBL MTL STR | Inchiesta |
|
GRTE18S-P1312 | SICK | SEN PHT PNP LO CAB 2M MTL STR | Inchiesta |
|
GRTE18S-N234Z | SICK | SEN PHT NPN LO M12 MTL STR FF | Inchiesta |
|
GRTE18S-P1362 | SICK | SEN PHT PNP LO CBL MTL STR | Inchiesta |
|
GRTE18S-N2347 | SICK | SEN PHT NPN LO M12 PLSTC STR | Inchiesta |
|
GRTE18S-P1342 | SICK | SEN PHT PNP LO CAB 2M MTL STR | Inchiesta |
|
GRTE18S-P2319 | SICK | SEN PHT PNP LO M12 PLSTC ANG | Inchiesta |
|
GRTE18S-P1317 | SICK | SEN PHT PNP LO CAB 2M PLSTC STR | Inchiesta |
|
GRTE18S-P1367 | SICK | SEN PHT PNP LO CBL PLS STR | Inchiesta |
|
GRTE18S-N2317 | SICK | SEN PHT NPN LO M12 PLSTC STR | Inchiesta |
|
GRTE18S-P1347 | SICK | SEN PHT PNP LO CAB 2M PLSTC STR | Inchiesta |
Latest Notizie
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico