GRM033R71H102KA12J è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per GRM033R71H102KA12J, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per GRM033R71H102KA12J via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista GRM033R71H102KA12J con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
GRM033R71H102KA12J
- Modello di prodotti:
- GRM033R71H102KA12J
- fabbricante:
- Murata Electronics
- Descrizione:
- CAP CER 1000PF 50V X7R 0201
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 36647 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione nominale - ca: | - |
| Tensione - nominale: | 50V |
| Tolleranza: | 1000pF |
| Spessore (max): | X7R |
| Montaggio superficiale Superficie Terreno: | - |
| Dimensioni / Dimension: | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
| Serie: | GRM |
| Corrente di ondulazione - bassa frequenza: | General Purpose |
| Giudizi: | - |
| Polarizzazione: | 0201 (0603 Metric) |
| Altri nomi: | 490-14573-1 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 125°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount, MLCC |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 15 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | GRM033R71H102KA12J |
| Tipo conduttore: | 0.013" (0.33mm) |
| Altezza - In sede (max): | - |
| Caratteristiche: | - |
| Tasso di fallimento: | - |
| Descrizione espansione: | 1000pF ±10% 50V Ceramic Capacitor X7R 0201 (0603 Metric) |
| ESR (Resistenza in serie equivalente): | ±10% |
| Descrizione: | CAP CER 1000PF 50V X7R 0201 |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per GRM033R71H102KA12J
Latest Notizie
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari