FQB44N10TM
FQB44N10TM
Modello di prodotti:
FQB44N10TM
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
41074 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
FQB44N10TM.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D²PAK (TO-263AB)
Serie:QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:39 mOhm @ 21.75A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.75W (Ta), 146W (Tc)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:FQB44N10TMCT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:28 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:62nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione dettagliata:N-Channel 100V 43.5A (Tc) 3.75W (Ta), 146W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:43.5A (Tc)
Email:[email protected]

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