FP1108L4-R150-R è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per FP1108L4-R150-R, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per FP1108L4-R150-R via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista FP1108L4-R150-R con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
FP1108L4-R150-R
- Modello di prodotti:
- FP1108L4-R150-R
- fabbricante:
- Bussmann (Eaton)
- Descrizione:
- IND FLAT PAC POWER 150NH 40A 2 P
- Quantità di magazzino:
- 20695 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- FP1108L4-R150-R.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Digitare: | - |
| Tolleranza: | ±10% |
| Dimensioni / Dimension: | 0.433" L x 0.315" W (11.00mm x 8.00mm) |
| Schermatura: | - |
| Serie: | FP1108L4 |
| Giudizi: | - |
| Q alla frequenza: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | Nonstandard |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 125°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Materiale - Nucleo: | Ferrite |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| Frequenza di induttanza - Test: | 100kHz |
| Induttanza: | 150nH |
| Altezza - In sede (max): | 0.315" (8.00mm) |
| Frequenza - Autorisonante: | - |
| Caratteristiche: | - |
| Descrizione dettagliata: | 150nH Inductor 91A 0.05 mOhm Nonstandard |
| Resistenza cc (DCR): | 0.05 mOhm |
| Valutazione attuale: | 91A |
| Corrente - saturazione: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per FP1108L4-R150-R
Latest Notizie
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC