FK18C0G1H822J è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per FK18C0G1H822J, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per FK18C0G1H822J via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista FK18C0G1H822J con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
FK18C0G1H822J
- Modello di prodotti:
- FK18C0G1H822J
- fabbricante:
- TDK Corporation
- Descrizione:
- CAP CER 8200PF 50V C0G RADIAL
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 33641 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.FK18C0G1H822J.pdf2.FK18C0G1H822J.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - nominale: | 50V |
| Tolleranza: | ±5% |
| Spessore (max): | - |
| Coefficiente di temperatura: | C0G, NP0 |
| Dimensioni / Dimension: | 0.157" L x 0.098" W (4.00mm x 2.50mm) |
| Serie: | FK |
| Giudizi: | - |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | Radial |
| Altri nomi: | 445-8394 FK18C0G1H822JN020 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 125°C |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tipo conduttore: | Formed Leads - Kinked |
| Distanza conduttori: | 0.098" (2.50mm) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altezza - In sede (max): | 0.217" (5.50mm) |
| Caratteristiche: | - |
| Tasso di fallimento: | - |
| Descrizione dettagliata: | 8200pF ±5% 50V Ceramic Capacitor C0G, NP0 Radial |
| Capacità: | 8200pF |
| applicazioni: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per FK18C0G1H822J
Latest Notizie
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari