FJV3110RMTF
Modello di prodotti:
FJV3110RMTF
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
41663 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
1.FJV3110RMTF.pdf2.FJV3110RMTF.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):40V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:-
Resistor - Base (R1):10 kOhms
Potenza - Max:200mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:FJV3110RMTF-ND
FJV3110RMTFTR
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:13 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:250MHz
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 1mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Numero di parte base:FJV3110
Email:[email protected]

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