FGA30N65SMD
FGA30N65SMD
Modello di prodotti:
FGA30N65SMD
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
IGBT 650V 60A 300W TO3P-3
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
20688 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
FGA30N65SMD.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):650V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2.5V @ 15V, 30A
Condizione di test:400V, 30A, 6 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C:14ns/102ns
di scambio energetico:716µJ (on), 208µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-3P
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):35ns
Potenza - Max:300W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-3P-3, SC-65-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso:Standard
Tipo IGBT:Field Stop
carica gate:87nC
Descrizione dettagliata:IGBT Field Stop 650V 60A 300W Through Hole TO-3P
Corrente - collettore Pulsed (Icm):90A
Corrente - collettore (Ic) (max):60A
Email:[email protected]

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