FF300R17ME3BOSA1 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per FF300R17ME3BOSA1, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per FF300R17ME3BOSA1 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista FF300R17ME3BOSA1 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
FF300R17ME3BOSA1
- Modello di prodotti:
- FF300R17ME3BOSA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOD IGBT MED PWR ECONOD-3
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 43504 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- FF300R17ME3BOSA1.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 1700V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 2.45V @ 15V, 300A |
| Contenitore dispositivo fornitore: | Module |
| Serie: | EconoDUAL™ 3 |
| Potenza - Max: | 1650W |
| Contenitore / involucro: | Module |
| Altri nomi: | FF300R17ME3 SP000091966 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 125°C |
| Termistore NTC: | Yes |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: | 27nF @ 25V |
| Ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | Trench Field Stop |
| Descrizione dettagliata: | IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 375A 1650W Chassis Mount Module |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 3mA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 375A |
| Configurazione: | Half Bridge |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per FF300R17ME3BOSA1
Latest Notizie
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash