FF1000R17IE4PBOSA1 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per FF1000R17IE4PBOSA1, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per FF1000R17IE4PBOSA1 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista FF1000R17IE4PBOSA1 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
FF1000R17IE4PBOSA1
- Modello di prodotti:
- FF1000R17IE4PBOSA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- IGBT MODULE VCES 1700V 1000A
- Quantità di magazzino:
- 33948 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- FF1000R17IE4PBOSA1.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 1700V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 2.45V @ 15V, 1000A |
| Contenitore dispositivo fornitore: | Module |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 1000000W |
| Contenitore / involucro: | Module |
| Altri nomi: | FF1000R17IE4P FF1000R17IE4P-ND SP001155992 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C |
| Termistore NTC: | Yes |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Produttore tempi di consegna standard: | 26 Weeks |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: | 81nF @ 25V |
| Ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | Trench Field Stop |
| Descrizione dettagliata: | IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1700V 1000A 1000000W Chassis Mount Module |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 5mA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 1000A |
| Configurazione: | 2 Independent |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per FF1000R17IE4PBOSA1
Latest Notizie
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC