FDS3890
FDS3890
Modello di prodotti:
FDS3890
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
21565 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
FDS3890.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:44 mOhm @ 4.7A, 10V
Potenza - Max:900mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:FDS3890-ND
FDS3890TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1180pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):80V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 4.7A 900mW Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.7A
Email:[email protected]

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