FDP3205
Modello di prodotti:
FDP3205
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
35312 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
1.FDP3205.pdf2.FDP3205.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:5.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:7.5 mOhm @ 59A, 10V
Dissipazione di potenza (max):150W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:7730pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:120nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):55V
Descrizione dettagliata:N-Channel 55V 100A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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