FDP083N15A
Modello di prodotti:
FDP083N15A
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 150V TO-220-3
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
20018 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
FDP083N15A.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:8.3 mOhm @ 75A, 10V
Dissipazione di potenza (max):294W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6040pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:84nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):150V
Descrizione dettagliata:N-Channel 150V 83A (Tc) 294W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:83A (Tc)
Email:[email protected]

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