FDMD8560L
FDMD8560L
Modello di prodotti:
FDMD8560L
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
59641 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
FDMD8560L.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-Power 5x6
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:3.2 mOhm @ 22A, 10V
Potenza - Max:2.2W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerWDFN
Altri nomi:FDMD8560LTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:39 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:11130pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:128nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET:Standard
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 22A, 93A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:22A, 93A
Email:[email protected]

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