FDG6335N
Modello di prodotti:
FDG6335N
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
25431 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
FDG6335N.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:SC-70-6
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:300 mOhm @ 700mA, 4.5V
Potenza - Max:300mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi:FDG6335N-ND
FDG6335NTR
Q1609797
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:113pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:1.4nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 700mA 300mW Surface Mount SC-70-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:700mA
Email:[email protected]

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