FDFS2P103A
FDFS2P103A
Modello di prodotti:
FDFS2P103A
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
34734 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
FDFS2P103A.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOIC
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:59 mOhm @ 5.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):900mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:FDFS2P103A_NL
FDFS2P103A_NLTR
FDFS2P103A_NLTR-ND
FDFS2P103ATR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:535pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:8nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:Schottky Diode (Isolated)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:P-Channel 30V 5.3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5.3A (Ta)
Email:[email protected]

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