FDD6670AS
Modello di prodotti:
FDD6670AS
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 76A DPAK
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
24217 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
FDD6670AS.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:3V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:8 mOhm @ 13.8A, 10V
Dissipazione di potenza (max):70W (Ta)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:FDD6670ASDKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1580pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 76A (Ta) 70W (Ta) Surface Mount TO-252
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:76A (Ta)
Email:[email protected]

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