FDA16N50LDTU è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per FDA16N50LDTU, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per FDA16N50LDTU via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista FDA16N50LDTU con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
FDA16N50LDTU
- Modello di prodotti:
- FDA16N50LDTU
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- UNIFET N-CHANNEL 500V MOSFET LDT
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 52609 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- FDA16N50LDTU.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-3PN (L-Forming) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 380 mOhm @ 8.3A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 205W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads) |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 15 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1945pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 45nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 500V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 500V 16.5A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN (L-Forming) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 16.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per FDA16N50LDTU
Latest Notizie
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato