EV35-3.0-02-10M è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per EV35-3.0-02-10M, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per EV35-3.0-02-10M via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista EV35-3.0-02-10M con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
EV35-3.0-02-10M
- Modello di prodotti:
- EV35-3.0-02-10M
- fabbricante:
- Schaffner EMC, Inc.
- Descrizione:
- COMMON MODE CHOKE 10MH 3A 2LN TH
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 49287 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- EV35-3.0-02-10M.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione nominale - cc: | - |
| Tensione nominale - ca: | 250V |
| Dimensioni / Dimension: | 1.417" L x 0.965" W (36.00mm x 24.50mm) |
| Serie: | EV |
| Giudizi: | - |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | Vertical, 4 PC Pin |
| Altri nomi: | 295-516 817-1055 EV35-3,0-02-10M EV35300210M |
| temperatura di esercizio: | -25°C ~ 100°C |
| Numero di linee: | 2 |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Induttanza @ Frequenza: | 10mH @ 400Hz |
| Altezza (max): | 1.681" (42.70mm) |
| Tipo di filtro: | Power Line |
| Caratteristiche: | - |
| Descrizione dettagliata: | 10mH @ 400Hz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 3A DCR 72 mOhm (Typ) |
| Resistenza DC (DCR) (max): | 72 mOhm (Typ) |
| Spessore scheda (mm): | 3A |
| Approvazioni: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per EV35-3.0-02-10M
Latest Notizie
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash