ESRD330M08R-F è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per ESRD330M08R-F, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per ESRD330M08R-F via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista ESRD330M08R-F con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
ESRD330M08R-F
- Modello di prodotti:
- ESRD330M08R-F
- fabbricante:
- Cornell Dubilier Electronics
- Descrizione:
- CAP ALUM POLY 33UF 20% 8V SMD
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 54515 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- ESRD330M08R-F.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - nominale: | 8V |
| Digitare: | Polymer |
| Tolleranza: | ±20% |
| Montaggio superficiale Superficie Terreno: | 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) |
| Dimensioni / Dimension: | 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) |
| Serie: | ESRD |
| Corrente di ondulazione @ alta frequenza: | 2.5A @ 100kHz |
| Giudizi: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 2917 (7343 Metric) |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 105°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Durata alla temp.: | 1000 Hrs @ 105°C |
| Distanza conduttori: | - |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altezza - In sede (max): | 0.071" (1.80mm) |
| ESR (Resistenza in serie equivalente): | 18 mOhm |
| Descrizione dettagliata: | 33µF 8V Aluminum Polymer Capacitor 2917 (7343 Metric) 18 mOhm 1000 Hrs @ 105°C |
| Capacità: | 33µF |
| applicazioni: | Bypass, Decoupling |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per ESRD330M08R-F
Latest Notizie
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash