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ES6U1T2R
- Modello di prodotti:
- ES6U1T2R
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 55226 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- ES6U1T2R.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-WEMT |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 700mW (Ta) |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi: | ES6U1T2RCT |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 290pF @ 6V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.4nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 12V |
| Descrizione dettagliata: | P-Channel 12V 1.3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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