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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > EPC2010
EPC2010
EPC2010
Modello di prodotti:
EPC2010
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
54028 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
EPC2010.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 3mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Contenitore dispositivo fornitore:Die
Serie:eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs:25 mOhm @ 6A, 5V
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:Die
Altri nomi:917-1016-2
temperatura di esercizio:-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:540pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:7.5nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):5V
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione dettagliata:N-Channel 200V 12A (Ta) Surface Mount Die
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Ta)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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