EMF24T2R
EMF24T2R
Modello di prodotti:
EMF24T2R
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
53723 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
EMF24T2R.pdf

introduzione

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Specifiche

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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Tipo transistor:1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Contenitore dispositivo fornitore:EMT6
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):10 kOhms
Resistor - Base (R1):10 kOhms
Potenza - Max:150mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-563, SOT-666
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:250MHz, 180MHz
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V 100mA, 150mA 250MHz, 180MHz 150mW Surface Mount EMT6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:30 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA, 150mA
Email:[email protected]

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