ELL-4GG1R2N è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per ELL-4GG1R2N, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per ELL-4GG1R2N via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista ELL-4GG1R2N con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
ELL-4GG1R2N
- Modello di prodotti:
- ELL-4GG1R2N
- fabbricante:
- Panasonic
- Descrizione:
- FIXED IND 1.2UH 1.9A 50 MOHM SMD
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 29441 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- ELL-4GG1R2N.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Digitare: | Wirewound |
| Tolleranza: | ±30% |
| Contenitore dispositivo fornitore: | - |
| Dimensioni / Dimension: | 0.150" L x 0.150" W (3.80mm x 3.80mm) |
| Schermatura: | Shielded |
| Serie: | G |
| Giudizi: | - |
| Q alla frequenza: | - |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | Nonstandard |
| Altri nomi: | PCD2197CT |
| temperatura di esercizio: | - |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiale - Nucleo: | - |
| Produttore tempi di consegna standard: | 11 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza di induttanza - Test: | 100kHz |
| Induttanza: | 1.2µH |
| Altezza - In sede (max): | 0.055" (1.40mm) |
| Frequenza - Autorisonante: | - |
| Descrizione dettagliata: | 1.2µH Shielded Wirewound Inductor 1.9A 50 mOhm Nonstandard |
| Resistenza cc (DCR): | 50 mOhm |
| Valutazione attuale: | 1.9A |
| Corrente - saturazione: | 2.4A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per ELL-4GG1R2N
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
ELL-4GG2R2N | Panasonic | FIXED IND 2.2UH 1.4A 88 MOHM SMD | Inchiesta |
|
ELL-4GG5R6N | Panasonic | FIXED IND 5.6UH 970MA 170 MOHM | Inchiesta |
 |
ELL-4FG3R3NA | Panasonic | FIXED IND 3.3UH 1.22A 110 MOHM | Inchiesta |
|
ELL-4GG220M | Panasonic | FIXED IND 22UH 500MA 640 MOHM | Inchiesta |
|
ELL-4GG3R9N | Panasonic | FIXED IND 3.9UH 1.15A 120 MOHM | Inchiesta |
|
ELL-4GG470M | Panasonic | FIXED IND 47UH 350MA 1.25 OHM | Inchiesta |
|
ELL-4FG4R7NA | Panasonic | FIXED IND 4.7UH 1A 160 MOHM SMD | Inchiesta |
|
ELL-4GG101M | Panasonic | FIXED IND 100UH 250MA 2.4 OHM | Inchiesta |
|
ELL-4FG2R0NA | Panasonic | FIXED IND 2UH 1.55A 70 MOHM SMD | Inchiesta |
|
ELL-4GG6R8N | Panasonic | FIXED IND 6.8UH 930MA 200 MOHM | Inchiesta |
|
ELL-4FG6R8NA | Panasonic | FIXED IND 6.8UH 860MA 220 MOHM | Inchiesta |
|
ELL-4GG150M | Panasonic Electronic Components | FIXED IND 15UH 580MA 500 MOHM | Inchiesta |
|
ELL-4GG120M | Panasonic | FIXED IND 12UH 650MA 380 MOHM | Inchiesta |
|
ELL-4GG4R7N | Panasonic | FIXED IND 4.7UH 1A 160 MOHM SMD | Inchiesta |
|
ELL-4GG100M | Panasonic | FIXED IND 10UH 770MA 250 MOHM | Inchiesta |
|
ELL-4GG1R8N | Panasonic | FIXED IND 1.8UH 1.55A 71 MOHM | Inchiesta |
|
ELL-4FG330MA | Panasonic | FIXED IND 33UH 400MA 1.06 OHM | Inchiesta |
|
ELL-4GG3R3N | Panasonic | FIXED IND 3.3UH 1.2A 110 MOHM | Inchiesta |
|
ELL-4GG330M | Panasonic | FIXED IND 33UH 400MA 980 MOHM | Inchiesta |
|
ELL-4FG470MA | Panasonic | FIXED IND 47UH 330MA 1.6 OHM SMD | Inchiesta |
Latest Notizie
- Il braccio è apparso in Computex 2024: si prevede che entro la fine del 2025 possono essere utilizzati oltre 100 miliardi di dispositivi ARM
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico