EDBM432B3PB-1D-F-R TR è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per EDBM432B3PB-1D-F-R TR, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per EDBM432B3PB-1D-F-R TR via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista EDBM432B3PB-1D-F-R TR con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
EDBM432B3PB-1D-F-R TR
- Modello di prodotti:
- EDBM432B3PB-1D-F-R TR
- fabbricante:
- Micron Technology
- Descrizione:
- IC DRAM 12G PARALLEL 168FBGA
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 56324 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- EDBM432B3PB-1D-F-R TR.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | - |
| Tensione di alimentazione -: | 1.14 V ~ 1.95 V |
| Tecnologia: | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 168-FBGA (12x12) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 168-VFBGA |
| Altri nomi: | EDBM432B3PB-1D-F-R TR-ND EDBM432B3PB-1D-F-RTR |
| temperatura di esercizio: | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 12Gb (384M x 32) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | DRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 12Gb (384M x 32) Parallel 533MHz 168-FBGA (12x12) |
| Frequenza dell'orologio: | 533MHz |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per EDBM432B3PB-1D-F-R TR
Latest Notizie
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico