E4B-T1RE4 2M è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per E4B-T1RE4 2M, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per E4B-T1RE4 2M via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista E4B-T1RE4 2M con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
E4B-T1RE4 2M
- Modello di prodotti:
- E4B-T1RE4 2M
- fabbricante:
- Omron Automation & Safety
- Descrizione:
- ULTRASONIC SENSOR
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 24382 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- E4B-T1RE4 2M.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione di alimentazione -: | 12 V ~ 24 V |
| Stile di terminazione: | Cable |
| Schermatura: | - |
| Serie: | E4B |
| Tipo sensore: | Ultrasonic |
| Distanza di rilevamento: | 39.37" (1000mm) |
| risposta in frequenza: | 10Hz |
| Contenitore / involucro: | Box |
| Tipo di uscita: | NPN |
| Altri nomi: | E4B-T1RE4 2M-ND E4B-T1RE42M E4BT1RE42M |
| temperatura di esercizio: | -10°C ~ 55°C |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiale - Corpo: | - |
| Produttore tempi di consegna standard: | 4 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Protezione ingresso: | IP66 |
| Indicatore: | LED |
| Descrizione dettagliata: | Ultrasonic Proximity Sensor 39.37" (1000mm) IP66 Box |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per E4B-T1RE4 2M
Latest Notizie
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC