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DTB114GCT116
- Modello di prodotti:
- DTB114GCT116
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 22423 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.DTB114GCT116.pdf2.DTB114GCT116.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Tipo transistor: | PNP - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SST3 |
| Serie: | - |
| Resistor - Emitter Base (R2): | 10 kOhms |
| Potenza - Max: | 200mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi: | DTB114GCMGT116 DTB114GCT116TR |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | 200MHz |
| Descrizione dettagliata: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 56 @ 50mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
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