DTA123JUAT106
DTA123JUAT106
Modello di prodotti:
DTA123JUAT106
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
29789 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
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introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:UMT3
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):47 kOhms
Resistor - Base (R1):2.2 kOhms
Potenza - Max:200mW
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:SC-70, SOT-323
Altri nomi:DTA123JUAT106DKR
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:250MHz
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Numero di parte base:DTA123
Email:[email protected]

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