DTA114ESATP
DTA114ESATP
Modello di prodotti:
DTA114ESATP
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
35763 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
DTA114ESATP.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:SPT
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):10 kOhms
Resistor - Base (R1):10 kOhms
Potenza - Max:300mW
imballaggio:Tape & Box (TB)
Contenitore / involucro:SC-72 Formed Leads
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:250MHz
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 300mW Through Hole SPT
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:30 @ 5mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):50mA
Numero di parte base:DTA114
Email:[email protected]

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