DS1265W-100IND+ è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per DS1265W-100IND+, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per DS1265W-100IND+ via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista DS1265W-100IND+ con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
DS1265W-100IND+
- Modello di prodotti:
- DS1265W-100IND+
- fabbricante:
- Maxim Integrated
- Descrizione:
- IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 42841 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- DS1265W-100IND+.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 100ns |
| Tensione di alimentazione -: | 3 V ~ 3.6 V |
| Tecnologia: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 36-EDIP |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tipo di memoria: | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria: | 8Mb (1M x 8) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | NVSRAM |
| Produttore tempi di consegna standard: | 15 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 8Mb (1M x 8) Parallel 100ns 36-EDIP |
| Numero di parte base: | DS1265W |
| Tempo di accesso: | 100ns |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per DS1265W-100IND+
Latest Notizie
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash