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DS1230Y-120IND+
- Modello di prodotti:
- DS1230Y-120IND+
- fabbricante:
- Maxim Integrated
- Descrizione:
- IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 35142 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- DS1230Y-120IND+.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 120ns |
| Tensione di alimentazione -: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Tecnologia: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 28-EDIP |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| Altri nomi: | DS1230Y120IND |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tipo di memoria: | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria: | 256Kb (32K x 8) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | NVSRAM |
| Produttore tempi di consegna standard: | 6 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 120ns 28-EDIP |
| Numero di parte base: | DS1230Y |
| Tempo di accesso: | 120ns |
| Email: | [email protected] |
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