DRA74-8R2-R è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per DRA74-8R2-R, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per DRA74-8R2-R via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista DRA74-8R2-R con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
DRA74-8R2-R
- Modello di prodotti:
- DRA74-8R2-R
- fabbricante:
- Bussmann (Eaton)
- Descrizione:
- FIXED IND 8.2UH 2.66A 40 MOHM
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 57073 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- DRA74-8R2-R.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Digitare: | Wirewound |
| Tolleranza: | ±20% |
| Contenitore dispositivo fornitore: | - |
| Dimensioni / Dimension: | 0.299" L x 0.299" W (7.60mm x 7.60mm) |
| Schermatura: | Shielded |
| Serie: | DRA |
| Giudizi: | AEC-Q200 |
| Q alla frequenza: | - |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | Nonstandard |
| Altri nomi: | 283-3644-6 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 165°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiale - Nucleo: | - |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza di induttanza - Test: | 100kHz |
| Induttanza: | 8.2µH |
| Altezza - In sede (max): | 0.171" (4.35mm) |
| Frequenza - Autorisonante: | - |
| Descrizione dettagliata: | 8.2µH Shielded Wirewound Inductor 2.66A 40 mOhm Nonstandard |
| Resistenza cc (DCR): | 40 mOhm |
| Valutazione attuale: | 2.66A |
| Corrente - saturazione: | 3.17A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per DRA74-8R2-R
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
DRA74-4R7-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 4.7UH 3.41A 24 MOHM | Inchiesta |
|
DRA74-681-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 680UH 315MA 2.86 OHM | Inchiesta |
|
DRA74-680-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 68UH 996MA 286 MOHM | Inchiesta |
 |
DRA9113Z0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Inchiesta |
|
DRA74-331-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 330UH 435MA 1.5 OHM | Inchiesta |
|
DRA9123E0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Inchiesta |
|
DRA74-3R3-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 3.3UH 4.16A 16 MOHM | Inchiesta |
|
DRA74-820-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 82UH 879MA 367 MOHM | Inchiesta |
|
DRA9115G0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Inchiesta |
|
DRA74-471-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 470UH 383MA 1.93 OHM | Inchiesta |
|
DRA9114E0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Inchiesta |
|
DRA9115T0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Inchiesta |
|
DRA74-R33-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 330NH 7.26A 5.4 MOHM | Inchiesta |
|
DRA9115E0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Inchiesta |
|
DRA9123J0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Inchiesta |
|
DRA74-470-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 47UH 1.14A 219 MOHM | Inchiesta |
|
DRA74-821-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 820UH 279MA 3.63 OHM | Inchiesta |
|
DRA74-6R8-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 6.8UH 2.91A 34 MOHM | Inchiesta |
|
DRA9114Y0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Inchiesta |
|
DRA9114T0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC