DRA125-8R2-R è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per DRA125-8R2-R, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per DRA125-8R2-R via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista DRA125-8R2-R con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
DRA125-8R2-R
- Modello di prodotti:
- DRA125-8R2-R
- fabbricante:
- Bussmann (Eaton)
- Descrizione:
- FIXED IND 8.2UH 6.41A 13 MOHM
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 31344 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- DRA125-8R2-R.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Digitare: | Wirewound |
| Tolleranza: | ±20% |
| Contenitore dispositivo fornitore: | - |
| Dimensioni / Dimension: | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
| Schermatura: | Shielded |
| Serie: | DRA |
| Giudizi: | AEC-Q200 |
| Q alla frequenza: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | Nonstandard |
| Altri nomi: | 283-3583-2 DRA125-8R2-R-ND DRA1258R2R |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 165°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiale - Nucleo: | - |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza di induttanza - Test: | 100kHz |
| Induttanza: | 8.2µH |
| Altezza - In sede (max): | 0.236" (6.00mm) |
| Frequenza - Autorisonante: | - |
| Descrizione dettagliata: | 8.2µH Shielded Wirewound Inductor 6.41A 13 mOhm Nonstandard |
| Resistenza cc (DCR): | 13 mOhm |
| Valutazione attuale: | 6.41A |
| Corrente - saturazione: | 7.9A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per DRA125-8R2-R
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
DRA127-1R0-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 1UH 19.22A 1.7 MOHM | Inchiesta |
 |
DRA125-820-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 82UH 2.005A 135 MOHM | Inchiesta |
|
DRA127-221-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 220UH 1.253A 398 MOHM | Inchiesta |
|
DRA125-471-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 470UH 826MA 790 MOHM | Inchiesta |
|
DRA127-220-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 22UH 3.98A 40 MOHM SMD | Inchiesta |
|
DRA125-680-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 68UH 2.125A 120 MOHM | Inchiesta |
|
DRA125-681-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 680UH 673MA 1.2 OHM | Inchiesta |
|
DRA127-151-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 150UH 1.524A 269 MOHM | Inchiesta |
|
DRA127-100-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 10UH 6.02A 17 MOHM SMD | Inchiesta |
|
DRA125-3R3-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 3.3UH 9.69A 5.8 MOHM | Inchiesta |
|
DRA127-102-R | Eaton | FIXED IND 1MH 598MA 1.75 OHM SMD | Inchiesta |
|
DRA125-4R7-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 4.7UH 7.67A 9.2 MOHM | Inchiesta |
|
DRA127-101-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 100UH 1.888A 175 MOHM | Inchiesta |
|
DRA125-821-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 820UH 632MA 1.36 OHM | Inchiesta |
|
DRA127-1R5-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 1.5UH 15.32A 2.7 MOHM | Inchiesta |
|
DRA125-331-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 330UH 998MA 543 MOHM | Inchiesta |
|
DRA125-R47-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 470NH 18.47A 1.6 MOHM | Inchiesta |
|
DRA125-470-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 47UH 2.59A 81 MOHM SMD | Inchiesta |
|
DRA127-150-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 15UH 4.83A 27 MOHM SMD | Inchiesta |
|
DRA125-6R8-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 6.8UH 6.81A 12 MOHM | Inchiesta |
Latest Notizie
- Il braccio è apparso in Computex 2024: si prevede che entro la fine del 2025 possono essere utilizzati oltre 100 miliardi di dispositivi ARM
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico