DMP2008UFG-13
DMP2008UFG-13
Modello di prodotti:
DMP2008UFG-13
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 14A POWERDI
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
27142 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
DMP2008UFG-13.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PowerDI3333-8
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:8 mOhm @ 12A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):2.4W (Ta), 41W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerWDFN
Altri nomi:DMP2008UFG-13DI
DMP2008UFG-13DI-ND
DMP2008UFG-13DITR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6909pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:72nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:P-Channel 20V 14A (Ta), 54A (Tc) 2.4W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:14A (Ta), 54A (Tc)
Email:[email protected]

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