DMNH4026SSDQ-13 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per DMNH4026SSDQ-13, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per DMNH4026SSDQ-13 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista DMNH4026SSDQ-13 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
DMNH4026SSDQ-13
- Modello di prodotti:
- DMNH4026SSDQ-13
- fabbricante:
- Diodes Incorporated
- Descrizione:
- MOSFET 2 N-CHANNEL 7.5A 8SO
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 47280 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- DMNH4026SSDQ-13.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 3V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SO |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 24 mOhm @ 6A, 10V |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Produttore tempi di consegna standard: | 28 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1060pF @ 20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 8.8nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 7.5A (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 7.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per DMNH4026SSDQ-13
Latest Notizie
- Il braccio è apparso in Computex 2024: si prevede che entro la fine del 2025 possono essere utilizzati oltre 100 miliardi di dispositivi ARM
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico