DMN67D8LDW-13
DMN67D8LDW-13
Modello di prodotti:
DMN67D8LDW-13
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
30645 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
DMN67D8LDW-13.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-363
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:5 Ohm @ 500mA, 10V
Potenza - Max:320mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:24 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:22pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:0.82nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Standard
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 230mA 320mW Surface Mount SOT-363
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:230mA
Email:[email protected]

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