DMN2250UFB-7B
DMN2250UFB-7B
Modello di prodotti:
DMN2250UFB-7B
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
50904 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
DMN2250UFB-7B.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:3-DFN1006 (1.0x0.6)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:170 mOhm @ 1A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):500mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:3-UFDFN
Altri nomi:DMN2250UFB-7BDITR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:94pF @ 16V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:3.1nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:N-Channel 20V 1.35A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.35A (Ta)
Email:[email protected]

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