DMN1016UCB6-7
DMN1016UCB6-7
Modello di prodotti:
DMN1016UCB6-7
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
29926 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
DMN1016UCB6-7.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:U-WLB1510-6
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:20 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):920mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-UFBGA, WLBGA
Altri nomi:DMN1016UCB6-7DITR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:423pF @ 6V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:4.2nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):12V
Descrizione dettagliata:N-Channel 12V 5.5A (Ta) 920mW (Ta) Surface Mount U-WLB1510-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5.5A (Ta)
Email:[email protected]

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