DGD2101S8-13 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per DGD2101S8-13, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per DGD2101S8-13 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista DGD2101S8-13 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
DGD2101S8-13
- Modello di prodotti:
- DGD2101S8-13
- fabbricante:
- Diodes Incorporated
- Descrizione:
- IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 43200 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- DGD2101S8-13.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione di alimentazione -: | 10 V ~ 20 V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SO |
| Serie: | - |
| Tempo di salita / scadenza (Typ): | 70ns, 35ns |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | DGD2101S8-13DITR |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Frequenza di ingresso: | 2 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| Tensione logica - VIL, VIH: | 0.8V, 2.5V |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo di ingresso: | Non-Inverting |
| Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap): | 600V |
| Tipo di porta: | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Configurazione guidata: | Half-Bridge |
| Descrizione dettagliata: | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SO |
| Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore): | 290mA, 600mA |
| Base-Emitter Tensione di saturazione (max): | Independent |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per DGD2101S8-13
Latest Notizie
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico