DG213DY-E3 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per DG213DY-E3, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per DG213DY-E3 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista DG213DY-E3 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
DG213DY-E3
- Modello di prodotti:
- DG213DY-E3
- fabbricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrizione:
- IC SWITCH QUAD CMOS 16SOIC
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 42409 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- DG213DY-E3.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Alimentazione di tensione, singola (V +): | 3 V ~ 40 V |
| Alimentazione di tensione, Dual (V ±): | ±3 V ~ 22 V |
| Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max): | 130ns, 100ns |
| Circuito di commutazione: | SPST - NO/NC |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 16-SOIC |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Resistenza sullo stato (Max): | 60 Ohm |
| Numero di circuiti: | 4 |
| Circuito di Multiplexer / Demultiplexer: | 1:1 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 11 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | 4 Circuit IC Switch 1:1 60 Ohm 16-SOIC |
| Corrente - perdita (IS (disattivato)) (massimo): | 500pA |
| crosstalk: | -95dB @ 100kHz |
| Iniezione di carica: | 1pC |
| Corrispondenza canale-canale (ΔRon): | 1 Ohm |
| Capacità canale (CS (disattivato), CD (disattivato): | 5pF, 5pF |
| Numero di parte base: | DG213 |
| -3 dB Larghezza di banda: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per DG213DY-E3
Latest Notizie
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash