DFE252010F-8R2M=P2 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per DFE252010F-8R2M=P2, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per DFE252010F-8R2M=P2 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista DFE252010F-8R2M=P2 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
DFE252010F-8R2M=P2
- Modello di prodotti:
- DFE252010F-8R2M=P2
- fabbricante:
- Murata Electronics
- Descrizione:
- FIXED IND 8.2UH 1A 520 MOHM
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 38553 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- DFE252010F-8R2M=P2.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Digitare: | - |
| Tolleranza: | ±20% |
| Contenitore dispositivo fornitore: | - |
| Dimensioni / Dimension: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Schermatura: | Shielded |
| Serie: | DFE252010F |
| Giudizi: | - |
| Q alla frequenza: | - |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | 1008 (2520 Metric) |
| Altri nomi: | 490-13036-1 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 125°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiale - Nucleo: | Iron Powder |
| Produttore tempi di consegna standard: | 13 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza di induttanza - Test: | 1MHz |
| Induttanza: | 8.2µH |
| Altezza - In sede (max): | 0.039" (1.00mm) |
| Frequenza - Autorisonante: | - |
| Descrizione dettagliata: | 8.2µH Shielded Inductor 1A 520 mOhm Max 1008 (2520 Metric) |
| Resistenza cc (DCR): | 520 mOhm Max |
| Valutazione attuale: | 1A |
| Corrente - saturazione: | 1.55A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per DFE252010F-8R2M=P2
Latest Notizie
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico