DDTB123TU-7-F è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per DDTB123TU-7-F, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per DDTB123TU-7-F via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista DDTB123TU-7-F con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
DDTB123TU-7-F
- Modello di prodotti:
- DDTB123TU-7-F
- fabbricante:
- Diodes Incorporated
- Descrizione:
- TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 23446 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- DDTB123TU-7-F.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Tipo transistor: | PNP - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-323 |
| Serie: | - |
| Resistor - Base (R1): | 2.2 kOhms |
| Potenza - Max: | 200mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SC-70, SOT-323 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | 200MHz |
| Descrizione dettagliata: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-323 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 100 @ 5mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 500mA |
| Numero di parte base: | DTB123 |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per DDTB123TU-7-F
Latest Notizie
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico