D6001N50TXPSA1 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per D6001N50TXPSA1, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per D6001N50TXPSA1 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista D6001N50TXPSA1 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
D6001N50TXPSA1
- Modello di prodotti:
- D6001N50TXPSA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 5KV 8010A
- Quantità di magazzino:
- 33564 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- D6001N50TXPSA1.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.3V @ 6000A |
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 5000V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | - |
| Velocità: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | DO-200AE |
| Altri nomi: | D6001N50T D6001N50T-ND SP000261954 |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -40°C ~ 160°C |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Produttore tempi di consegna standard: | 36 Weeks |
| Tipo diodo: | Standard |
| Descrizione dettagliata: | Diode Standard 5000V 8010A Chassis Mount |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 400mA @ 5000V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 8010A |
| Capacità a Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per D6001N50TXPSA1
Latest Notizie
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash