CYDD18S72V18-167BBXI è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per CYDD18S72V18-167BBXI, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per CYDD18S72V18-167BBXI via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista CYDD18S72V18-167BBXI con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
CYDD18S72V18-167BBXI
- Modello di prodotti:
- CYDD18S72V18-167BBXI
- fabbricante:
- Cypress Semiconductor
- Descrizione:
- IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 54205 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- CYDD18S72V18-167BBXI.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | - |
| Tensione di alimentazione -: | 1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V |
| Tecnologia: | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 256-FBGA (17x17) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 256-LBGA |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 5 (48 Hours) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 18Mb (256K x 36 x 2, 256K x 72) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | SRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 18Mb (256K x 36 x 2, 256K x 72) Parallel 167MHz 600ps 256-FBGA (17x17) |
| Frequenza dell'orologio: | 167MHz |
| Numero di parte base: | CYDD |
| Tempo di accesso: | 600ps |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per CYDD18S72V18-167BBXI
Latest Notizie
- Il braccio è apparso in Computex 2024: si prevede che entro la fine del 2025 possono essere utilizzati oltre 100 miliardi di dispositivi ARM
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico