CY7C1314BV18-250BZXC
CY7C1314BV18-250BZXC
Modello di prodotti:
CY7C1314BV18-250BZXC
fabbricante:
Cypress Semiconductor
Descrizione:
IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
43113 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
CY7C1314BV18-250BZXC.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:-
Tensione di alimentazione -:1.7 V ~ 1.9 V
Tecnologia:SRAM - Synchronous, QDR II
Contenitore dispositivo fornitore:165-FBGA (13x15)
Serie:-
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:165-LBGA
temperatura di esercizio:0°C ~ 70°C (TA)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:SRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 250MHz 165-FBGA (13x15)
Frequenza dell'orologio:250MHz
Numero di parte base:CY7C1314
Email:[email protected]

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