CY7C1021DV33-10ZSXAT è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per CY7C1021DV33-10ZSXAT, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per CY7C1021DV33-10ZSXAT via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista CY7C1021DV33-10ZSXAT con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
CY7C1021DV33-10ZSXAT
- Modello di prodotti:
- CY7C1021DV33-10ZSXAT
- fabbricante:
- Cypress Semiconductor
- Descrizione:
- IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 59417 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- CY7C1021DV33-10ZSXAT.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 10ns |
| Tensione di alimentazione -: | 3 V ~ 3.6 V |
| Tecnologia: | SRAM - Asynchronous |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 44-TSOP II |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 1Mb (64K x 16) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | SRAM |
| Produttore tempi di consegna standard: | 15 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 10ns 44-TSOP II |
| Numero di parte base: | CY7C1021 |
| Tempo di accesso: | 10ns |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per CY7C1021DV33-10ZSXAT
Latest Notizie
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi
- Ruisa ha lanciato la nuova serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lancia un chip a interruttore induttore integrato completo
- X-Fab introduce la tecnologia del sensore del sensore di immagine per migliorare le prestazioni del sensore CMOS
- La grande fabbrica di chip è stata influenzata dal terremoto: TSMC ha smesso di funzionare con urgenza, esacerbando la fornitura di GPU a breve termine?
- La memoria di Nand Flash continua, MCU Deslocking Bottom ha ragione
- Sotto il punto aereo dell'IA, i due principali giganti dei chip non sono "forti": distruggere i soldi per rompere la partita, scommettere sulle battaglie della squadra del 2025