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CSD19532KTTT
- Modello di prodotti:
- CSD19532KTTT
- fabbricante:
- TI
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V TO-263-3
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 24331 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- CSD19532KTTT.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DDPAK/TO-263-3 |
| Serie: | NexFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 5.6 mOhm @ 90A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 250W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Altri nomi: | 296-43211-2 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 2 (1 Year) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 35 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 5060pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 57nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 100V 200A (Ta) 250W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 200A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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