CSD18510Q5BT
Modello di prodotti:
CSD18510Q5BT
fabbricante:
TI
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
45392 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
CSD18510Q5BT.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:2.3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-VSON-CLIP (5x6)
Serie:NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:0.96 mOhm @ 32A, 10V
Dissipazione di potenza (max):156W (Tc)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:296-46567-1
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:35 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:11400pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:153nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione dettagliata:N-Channel 40V 300A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:300A (Tc)
Email:[email protected]

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