CR16MCS9VJE7/NOPB è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per CR16MCS9VJE7/NOPB, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per CR16MCS9VJE7/NOPB via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista CR16MCS9VJE7/NOPB con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
CR16MCS9VJE7/NOPB
- Modello di prodotti:
- CR16MCS9VJE7/NOPB
- fabbricante:
- TI
- Descrizione:
- IC MCU 16BIT 64KB FLASH 80MQFP
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 52826 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- CR16MCS9VJE7/NOPB.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione di alimentazione - (Vcc / Vdd): | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 80-MQFP |
| Velocità: | 16MHz |
| Serie: | CompactRISC™ |
| Dimensioni RAM: | 3K x 8 |
| Tipo di memoria di programma: | FLASH |
| Dimensioni memoria programma: | 64KB (64K x 8) |
| Periferiche: | POR, PWM, WDT |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 80-QFP |
| Altri nomi: | CR16MCS9VJE7 CR16MCS9VJE7-ND |
| Tipo oscillatore: | External |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Numero di I / O: | 56 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 2A (4 Weeks) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Dimensioni EEPROM: | 2K x 8 |
| Descrizione dettagliata: | CR16B CompactRISC™ Microcontroller IC 16-Bit 16MHz 64KB (64K x 8) FLASH 80-MQFP |
| convertitori di dati: | A/D 8x12b |
| Dimensione nucleo: | 16-Bit |
| core Processor: | CR16B |
| Connettività: | ACCESS.Bus (2-Wire/I²C, SMBus), CANbus, Microwire/Plus (SPI), UART/USART |
| Numero di parte base: | CR16MCS9 |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per CR16MCS9VJE7/NOPB
Latest Notizie
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash