CGH112T500V4C è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per CGH112T500V4C, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per CGH112T500V4C via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista CGH112T500V4C con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
CGH112T500V4C
- Modello di prodotti:
- CGH112T500V4C
- fabbricante:
- Cornell Dubilier Electronics
- Descrizione:
- CAP ALUM 1100UF 500V SCREW
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 50869 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- CGH112T500V4C.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - nominale: | 500V |
| Tolleranza: | -10%, +50% |
| Montaggio superficiale Superficie Terreno: | - |
| Dimensioni / Dimension: | 2.000" Dia (50.80mm) |
| Serie: | CGH |
| Corrente di ondulazione @ Bassa frequenza: | 3.1A @ 120Hz |
| Giudizi: | - |
| Polarizzazione: | Polar |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | Radial, Can - Screw Terminals |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 17 Weeks |
| Durata alla temp.: | 1000 Hrs @ 85°C |
| Distanza conduttori: | - |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altezza - In sede (max): | 4.125" (104.78mm) |
| ESR (Resistenza in serie equivalente): | 225 mOhm @ 120Hz |
| Descrizione dettagliata: | 1100µF 500V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 225 mOhm @ 120Hz 1000 Hrs @ 85°C |
| Capacità: | 1100µF |
| applicazioni: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per CGH112T500V4C
Latest Notizie
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash