CEP125NP-0R8NC-UD è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per CEP125NP-0R8NC-UD, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per CEP125NP-0R8NC-UD via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista CEP125NP-0R8NC-UD con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
CEP125NP-0R8NC-UD
- Modello di prodotti:
- CEP125NP-0R8NC-UD
- fabbricante:
- Sumida Corporation
- Descrizione:
- FIXED IND 800NH 16.5A 2.5 MOHM
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 29527 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- CEP125NP-0R8NC-UD.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Digitare: | Wirewound |
| Tolleranza: | ±30% |
| Contenitore dispositivo fornitore: | - |
| Dimensioni / Dimension: | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
| Schermatura: | Shielded |
| Serie: | CEP125 |
| Giudizi: | - |
| Q alla frequenza: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | Nonstandard |
| Altri nomi: | 308-1517-2 CEP125NP-0R8NC-UD-ND |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 125°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiale - Nucleo: | Ferrite |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza di induttanza - Test: | 100kHz |
| Induttanza: | 800nH |
| Altezza - In sede (max): | 0.220" (5.60mm) |
| Frequenza - Autorisonante: | - |
| Descrizione dettagliata: | 800nH Shielded Wirewound Inductor 16.5A 2.5 mOhm Max Nonstandard |
| Resistenza cc (DCR): | 2.5 mOhm Max |
| Valutazione attuale: | 16.5A |
| Corrente - saturazione: | 25.7A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per CEP125NP-0R8NC-UD
Latest Notizie
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico